RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2900
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link