RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
51
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3027
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link