RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
58
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
58
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2172
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link