RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2823
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link