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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2635
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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