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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2635
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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