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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.5
16.6
写入速度,GB/s
8.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2689
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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