RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
51
En -89% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3396
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link