RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3837
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link