RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
22.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3837
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link