RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
49
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3837
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link