RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3482
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link