RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
51
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
31
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3482
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link