RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3779
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link