RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3779
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link