RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
51
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3632
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link