RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3632
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link