RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
51
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3926
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link