RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3926
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link