RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3336
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link