RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3336
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link