RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3402
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link