RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3563
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link