RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3563
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link