RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
71
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,001.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,776.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
669
1757
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link