RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1757
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link