RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2374
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link