RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3567
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link