RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3567
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link