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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
49
读取速度,GB/s
12.1
10.5
写入速度,GB/s
8.6
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2374
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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