RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
51
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link