RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link