RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3432
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link