RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
51
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3399
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link