RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1914
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link