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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
66
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3075
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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