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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
74
En -222% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2763
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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