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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3158
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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