RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
51
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3581
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link