RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link