RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-YK0 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link