RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
51
En -31% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1881
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link