RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3075
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link