RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3075
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link