Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    51 left arrow 64
    En 20% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
    En 1.33% mayor ancho de banda
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.8 left arrow 15.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    51 left arrow 64
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.6 left arrow 16.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2687 left arrow 2052
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones