RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
64
左右 20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
64
读取速度,GB/s
15.6
16.8
写入速度,GB/s
11.8
8.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2052
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link