RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
51
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link