RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link