RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link