RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link