RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
8.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link